IT之家 7 月 22 日讯息，韩媒 sedaily 于 7 月 20 日发布博文，报说念称在 NAND Flash 闪存供应方面，三星正扩大和英伟达的谐和，向后者供应跳跃 60% 的 V-NAND（垂直 NAND）产能。

IT之家注：V-NAND 是一种通过纵向堆叠存储单位擢升容量与密度的闪存架构。与平面 NAND 比较，它可在交流芯单方面积本体纳更多存储层，常用于企业级 SSD、数据中心存储和高容量出动存储居品。

报说念指出伴跟着 AI 处事器领域扩大，临时高下文数据（Key-Value cache，也称 KV 缓存）领域捏续扩大，已启动造成数据瓶颈。英伟达但愿通过 Context Memory Storage（高下文内存存储，CMX）缓解这一适度，三星已成为相干 NAND 供应方。

英伟达当今用于 AI 处事器的 CMX 搭载 576 块 SSD，总存储容量达到 9600TB。业内瞻望，CMX 所需的 NAND 需求 2026 年为 3500 万 TB，而 2027 年将激增到 1 亿 TB 以上。

鉴于三星本年的 NAND 产量瞻望将达到约 2.5 亿 TB，三星见地凭借其全国一流的产能，成为英伟达 CMX 的中枢供应商。

在产线计较方面，三星电子 V-NAND 产能当今每月跳跃 10 万片晶圆，其中 V9（286 层）占 60%，良率已升至 80% 以上，投入量产踏实阶段；V8 占比已降至 40% 以下，前年以来产能快速向 V9 转变。

讯息称 V10 可提供更高堆叠层数，让英伟达能在归并 CMX 模块内成就更高容量 SSD，进一步邻接 GPU 外溢的高下文数据。

技艺阶梯方面，报说念称，三星正究诘面向英伟达 CMX 的 V11 NAND，其最高堆叠高度可达 500 层，V11 比 V10 多 100 层；V10 的存储密度较 V9（286 层）提高 50%。

欧洲杯体育